ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Arulkumaran, Subramaniam
หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore
# พ.ศ. จำนวน
1 2558 2
2 2557 2
3 2556 2
4 2555 7
5 2554 1
# หัวเรื่อง
ปี พ.ศ. 2558
1 Impact of post-deposition annealing on interfacial chemical bonding states between AlGaN and ZrO2 grown by atomic layer deposition
2 Record low contact resistance for InAlN/GaN HEMTs on Si with non-gold metal
ปี พ.ศ. 2557
3 Band alignment between GaN and ZrO2 formed by atomic layer deposition
4 Influence of post-deposition annealing on interfacial properties between GaN and ZrO2 grown by atomic layer deposition
ปี พ.ศ. 2556
5 Atomic layer deposition of ZrO2 as gate dielectrics for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors on silicon
6 Reduction of current collapse in AlGaN/GaN MISHEMT with bilayer SiN/Al2O3 dielectric gate stack
ปี พ.ศ. 2555
7 AlGaN/GaN two-dimensional-electron gas heterostructures on 200 mm diameter Si(111)
8 Direct current and microwave characteristics of sub-micron AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on 8-inch Si(111) substrate
9 Demonstration of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on 100-mm-diameter Si(111) by ammonia molecular beam epitaxy
10 Microwave research activities in Singapore
11 GaN-on-Silicon integration technology
12 Improved OFF-state breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMTs grown on 150-mm diameter silicon-on-insulator (SOI) substrate
13 Effective suppression of current collapse in both E- and D-mode AlGaN/GaN HEMTs on Si by [(NH4)2Sx] passivation
ปี พ.ศ. 2554
14 High vertical breakdown strength in with low specific on-resistance AlGaN/AlN/GaN HEMTs on silicon