ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

สมพงศ์ ฉัตราภรณ์
หน่วยงาน จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
จำนวนงานวิจัยจำแนกรายปี
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
ความเชี่ยวชาญ
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
# นักวิจัย ร่วมงาน
1 ขจรยศ อยู่ดี 15
2 จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. บัณฑิตวิทยาลัย 7
3 ธำรง เมธาศิริ 2
4 ธนา สุทธิโอภาส 1
5 ธนากร โอสถจันทร์ 1
6 ธรรมศักดิ์ สิงคเสลิต 1
7 สมฤทธิ์ วงศ์มณีโรจน์ 1
8 ชาญวิทย์ จิตยุทธการ 1
9 พงษ์ ทรงพงษ์ 1
10 เกรียงไกร วันทอง 1
11 ธีระพันธุ์ สันติเทวกุล 1
12 กัลยา เอี้ยประเสริฐศักดิ์ 1
13 วิชิต ศิริโชติ 1
14 จามรี อมรโกศลพันธ์ 1
15 งามนิตย์ วงษ์เจริญ 1
16 คำเผย ชัยวงส์ 1
17 ปณิตา ชินเวชกิจวานิชย์ 1
18 ธงชัย พันธ์เมธาฤทธิ์ 1
19 ฐิตินัย แก้วแดง 1
20 ทวี ดีจะมาลา 1
21 จงอร พีรานนท์ 1
22 วิโรจน์ ตันตราภรณ์ 1
23 วิรุฬห์ สายคณิต 1
24 วิชิต ศรีตระกูล 1
25 ไปรมา ดิษฐสมบูรณ์ 1
26 ไม่มีข้อมูล 1
27 ราม ติวารี 1
28 เฉลิมวัฒน์ วงศ์วาณิชวัฒนา 1
29 Thamrong Methasiri 1
30 Sompong Chatraphorn 1
31 กิรณันต์ รัตนธรรมพันธ์ 1
32 Kiranant Ratanathammapan 1
33 สมชาย เกียรติกมลชัย 1
34 คมกฤษณ์ ปุ่นอุดม 1
35 โศจิพงศ์ ฉัตราภรณ์ 1
ปี
# พ.ศ. จำนวน
1 2546 1
2 2545 1
3 2544 2
4 2543 3
5 2540 1
6 2539 1
7 2538 1
8 2532 1
9 2531 5
10 2530 2
11 2528 1
12 2526 2
13 543 1
ผลงานวิจัย
# หัวเรื่อง
ปี พ.ศ. 2546
1 การประดิษฐ์เซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มบาง และการผลิตซิงค์ออกไซด์โด๊ปด้วยอลูมิเนียมชนิดฟิล์มบาง
ปี พ.ศ. 2545
2 การเตรียมฟิล์มบางโมลิบดีนัมที่มีความเค้นตกค้างต่ำโดยดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริง
ปี พ.ศ. 2544
3 ผลของโปรไฟล์อุณหภูมิต่อองค์ประกอบและโครงสร้างผลึกของฟิล์มบาง Cu(In, Ga)Se2
4 โครงสร้างผลึกและค่าช่องว่างแถบพลังงานของสารประกอบกึ่งตัวนำ Cu2In4Se7
ปี พ.ศ. 2543
5 กระบวนการการนำไฟฟ้าของฟิล์มบางแคดเมียมซัลไฟด์ที่เตรียมโดยวิธีการอาบเคลือบสารเคมี
6 การปลูกผลึกและการศึกษาลักษณะเฉพาะของผลึกเดี่ยว CuIn[subscript 3]Se[subscript 5]
7 การปลูกผลึกและการศึกษาลักษณะเฉพาะของสารกึ่งตัวนำคอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์
ปี พ.ศ. 2540
8 การเตรียมฟิล์มซิงค์ออกไซด์แบบโปร่งใสและนำไฟฟ้า
ปี พ.ศ. 2539
9 การปลูกผลึกและโฟโตรีเฟลกแทนซ์ของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนต์
ปี พ.ศ. 2538
10 ระบบวัดสภาพต้านทานไฟฟ้าและสภาพเคลื่อนที่ได้ ของฮอลล์ควบคุมโดยคอมพิวเตอร์
ปี พ.ศ. 2532
11 การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์
ปี พ.ศ. 2531
12 การเปลี่ยนแปลงตามอุณหภูมิของการดูดกลืนแสงพื้นฐาน ของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์ และส่วนหางของเออบาค
13 การศึกษาโครงสร้างแถบพลังงานของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์ โดยสภาพนำไฟฟ้าเชิงแสง
14 การศึกษารอยต่อแบบโลหะ-ฉนวน-สารกึ่งตัวนำของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์
15 การศึกษารอยต่อแบบพี-เอ็น โฮโมจังค์ชันของคอปเปอร์อินเดียมไดชีลีไนด์
16 ระบบซี-วี ควบคุมโดยคอมพิวเตอร์สำหรับศึกษาสมบัติของรอยต่อกึ่งตัวนำ
ปี พ.ศ. 2530
17 การศึกษาและการพัฒนาสารประกอบกึ่งตัวนำ ซาลโดไพไรท์ของทองแดง และเงิน สำหรับเซลแสงอาทิตย์
18 การเตรียมและการศึกษาสมบัติของสารกึ่งตัวนำ คอปเปอร์อินเดียนไดซีลีไนด์ (CuInSe2)
ปี พ.ศ. 2528
19 การศึกษาโครงสร้างแถบพลังงานของ AgGate2 โดยสภาพนำไฟฟ้าเชิงแสง
ปี พ.ศ. 2526
20 ค่าคงที่ของโครงผลึกและช่องว่างแถบพลังงานของโลหะผสมกึ่งตัวนำ Ag Gay In(1-y) Te2(1-z) Se2z เมื่อ y = 0.8
21 ค่าคงที่ของโครงผลึกและช่องว่างแถบพลังงานของโลหะผสมกึ่งตัวนำ AgGaTe2(1-z)Se2z