ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

ชุมพล อันตรเสน
หน่วยงาน จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
และรู้จักในชื่อของ
- ชุมพล อัตรเสน
จำนวนงานวิจัยจำแนกรายปี
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
ความเชี่ยวชาญ
ผลงานวิจัย
# หัวเรื่อง
ปี พ.ศ. 2556
1 การวิจัยพื้นฐานสารกึ่งตัวนำที่มีโครงสร้างนาโนแบบจัดเรียงตัวเองโดยวิธีปลูกชั้นผลึกด้วยลำโมเลกุล
ปี พ.ศ. 2553
2 การวิจัยพื้นฐานสารกึ่งตัวนำที่มีโครงสร้างนาโนแบบจัดเรียงตัวเองโดยวิธีปลูกชั้นผลึกด้วยลำโมเลกุล (2550-2553)
ปี พ.ศ. 2552
3 โครงการเทคโนโลยีการผลิตไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ โครงสร้างระนาบชนิดหัวต่อต่างชนิดคู่ของ GaA/As/GaAs
ปี พ.ศ. 2551
4 การปลูกผลึก InP ที่มีการเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกอิพิแทกซี จากลำโมเลกุลที่ใช้ GaP เป็นจ่ายฟอสฟอรัส
ปี พ.ศ. 2550
5 การปลูกผลึก InP ที่มีการเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลที่ใช้ GaP เป็นจ่ายฟอสฟอรัส
6 การปลูกผลึก InP ที่มีการเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกอิพิแทกซี จากลำโมเลกุลที่ใช้ GaP เป็นจ่ายฟอสฟอรัส
7 อุปกรณ์เชิงแสงในทางการแพทย์
8 เทคโนโลยีการผลิตไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ โครงสร้างระนาบชนิดหัวต่อต่างชนิดคู่ของ GaAIAs /GaAs
ปี พ.ศ. 2549
9 การพัฒนาหัววัดรังสีสารกึ่งตัวนำแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์
ปี พ.ศ. 2547
10 การปลูกผลึก InAs บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
11 การพัฒนาหัววัดรังสีสารกึ่งตัวนำแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์
12 การพัฒนาหัววัดรังสีสารกึ่งตัวนำแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ : รายงานผลการวิจัย
ปี พ.ศ. 2546
13 การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBe ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์
14 การผลิตและศึกษาผลตอบสนองทางสเปกตรัมของโฟโตไดโอด GaAIAs/GaAs ที่มีชั้นหน้าต่างคู่
ปี พ.ศ. 2545
15 การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBE ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์
ปี พ.ศ. 2544
16 การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBE ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์ : รายงานผลการวิจัย
17 การปลูกผลึก InP บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
18 การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBE ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์
19 การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBe ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์
20 ไดโอดรับแสงชนิด Graded Band Gap GaAlAs/GaAs
ปี พ.ศ. 2543
21 ไดโอดรับแสงชนิด Graded Band Gap GaAlAs/GaAs : รายงานผลการวิจัย
22 ไดโอดรับแสงชนิด Graded Band Gap GaAlAs/GaAs
ปี พ.ศ. 2542
23 การพัฒนาหัววัดรังสีชนิด GaAs p-i-n สำหรับวัดรังสีเอกซ์
ปี พ.ศ. 2539
24 การปลูกชั้นผลึกสารประกอบกึ่งตัวนำกลุ่ม III-V ด้วยลำโมเลกุล (เฟสที่ 1)
ปี พ.ศ. 2538
25 การปลูกชั้นผลึกสารประกอบกึ่งตัวนำกลุ่ม III-V ด้วยลำโมเลกุล (เฟสที่ 1)
ปี พ.ศ. 2537
26 เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดอะมอร์ฟัสซิลิคอน
ปี พ.ศ. 2533
27 ออปโตอิเล็กทรอนิกส์
ปี พ.ศ. 2532
28 ออปโตอิเล็กทรอนิกส์
29 เซลแสงอาทิตย์
ปี พ.ศ. 2531
30 โครงการพัฒนาเทคโนโลยีวัสดุและชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ : โครงการออปโตอิเล็กทรอนิกส์ : รายงานการวิจัยและพัฒนา
31 โครงการวิจัยการศึกษาโฟโตลูมิเนสเซนต์ของสารประกอบกึ่งตัวนำ แกลเลี่ยมอาร์เซนายด์
32 การศึกษาผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลียมอาร์เซไนด์
33 ออปโตอิเล็กทรอนิกส์
ปี พ.ศ. 2530
34 การศึกษาผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ : รายงานผลการวิจัย
35 การศึกษาผิวสัมผัสโอห์มมิก ของแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์
ปี พ.ศ. 2529
36 เซลแสงอาทิตย์
ปี พ.ศ. 2523
37 การประดิษฐ์เซลแสงอาทิตย์แบบหัวต่อ พีเอ็น จากแว่นผลึกซิลิกอนซึ่งมีสภาพผิวชำรุดต่าง ๆ กัน