ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

ชนะ ลีภัทรพงศ์พันธ์
หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
จำนวนงานวิจัยจำแนกรายปี
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
ความเชี่ยวชาญ
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
# นักวิจัย ร่วมงาน
1 ชาญเดช หรูอนันต์ 11
2 นริชพันธ์ เป็นผลดี 10
3 อัมพร โพธิ์ใย 10
4 Chana Leepattarapongpan 6
5 Naritchaphan Penpondee 5
6 Toempong Phetchakul 5
7 Amporn Poyai 5
8 Charndet Hruanun 5
9 พุทธพล เพ็งพัด 4
10 Putapon Pengpad 4
11 เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ 4
12 เติมพงษ์ เพ็ชรกูล 4
13 Arckom Srihapat 3
14 อาคม ศรีหาเพท 3
15 Ekalak Chaowicharat 3
16 เอกราช รัตนอุดมพิสุทธิ์ 2
17 เจริญมิตร วรเดช 2
18 นิภาพรรณ กลั่นเงิน 2
19 Weera Phengan 2
20 เติมพงษ เพ็ชรกูล 1
21 วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ 1
22 ศุภนิจ พรธีระภัทร 1
23 ประภาพรรณ วิภาตวิทย์ 1
24 ปัญญากร โสตทิพย์ 1
25 Praphaphan Wipatawit 1
26 เกษม ตันธนะศิริวงศ์ 1
27 อภิรักษ์ ผันเขียว 1
28 ธวัชชัย คำศรี 1
29 วีระ เพ็งจันทร์ 1
30 นิธิ อัตถิ 1
31 วิน บรรจงปรุ 1
32 ภาวดี มีสรรพวงศ์ 1
33 อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ 1
ปี
# พ.ศ. จำนวน
1 2553 3
2 2552 1
3 2551 5
4 2550 2
5 543 8
ผลงานวิจัย
# หัวเรื่อง
ปี พ.ศ. 2553
1 Magnetotransistor Based on the Carrier Recombination—Deflection Effect
2 อุปกรณ์ตรวจวัดกระแสไฟฟ้าไร้สายในรถยนต์โดยโครงสร้างแมกนีโตทรานซิสเตอร์
3 ผลของระยะเบี่ยงเบนและความกว้างการฉีดพาหะต่อความไวของแมกนีโตทรานซิสเตอร์
ปี พ.ศ. 2552
4 อุปกรณ์ตรวจจับสนามแม่เหล็กชนิดตัวต้านทานแม่เหล็กแบบฟิล์มบาง NiFe หนึ่งชั้น
ปี พ.ศ. 2551
5 Characteristics of the 3-terminal Magnetotransistor Using Standard CMOS Process Technology
6 การสร้างเซ็นเชอร์ตรวจวัดความเร็วรอบโดยตรวจจับฟันเฟืองของเกียร์จาก แมกนีโตทรานซิสเตอร์
7 ต้นแบบกระบวนการบรรจุภัณฑ์ของหัวตรวจจับสนามแม่เหล็กชนิดโครงสร้างแมกนีโตทรานซิสเตอร์
8 ผลกระทบของต้นแบบลายวงจรแบบฟิล์มใสต่อคุณภาพของลายวงจร
9 Characteristics of the 3-terminal Magnetotransistor Using Standard CMOS Process Technology
ปี พ.ศ. 2550
10 การสร้างเกตออกไซด์สําหรับกระบวนการผลิต CMOS ระดับ 0.8 ไมโครเมตร
11 แมกนีโตทรานซิสเตอร์สามขา
ปี พ.ศ. ไม่ระบุ
12 Merged three-terminal magnetotransistor based on the carrier recombination - deflection effect
13 The low power magnetotransistor based on the CMOS technology
14 Magnetotransistor Based on the Carrier Recombination—Deflection Effect
15 The deflection length and emitter width on sensitivity of magnetotransistor
16 Merged three-terminal magnetotransistor based on the carrier Recombination-Deflection effect
17 Magnetotransistor based on the carrier recombination-deflection effect
18 The low power 3D-magnetotransistor based on CMOS technology
19 The effect injection width and temperature-offset compensation of magnetotransistor