ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

ขจรยศ อยู่ดี
หน่วยงาน จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
จำนวนงานวิจัยจำแนกรายปี
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
ความเชี่ยวชาญ
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
# นักวิจัย ร่วมงาน
1 สมพงศ์ ฉัตราภรณ์ 15
2 จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. บัณฑิตวิทยาลัย 6
3 โศจิพงศ์ ฉัตราภรณ์ 3
4 ชาญ ถิรพร 2
5 โสภณ สินธุประมา 2
6 วิรุฬห์ สายคณิต 2
7 วัฒนะ วัฒนานนท์ 2
8 ณรงค์ แสงแก้ว 1
9 ฐิตินัย แก้วแดง 1
10 ธนากร โอสถจันทร์ 1
11 ประเสริฐ แข่งขัน 1
12 ธนา สุทธิโอภาส 1
13 พงษ์ ทรงพงษ์ 1
14 วิชิต ศิริโชติ 1
15 สกุลธรรม เสนาะพิมพ์ 1
16 โอนาเบะ, เคนทาโร 1
17 สุคคเณศ ตุงคะสมิต 1
18 กิตติยาพร สิงห์สัมพันธ์ 1
19 งามนิตย์ วงษ์เจริญ 1
20 กัลยา เอี้ยประเสริฐศักดิ์ 1
21 ธนูสิทธิ์ บุรินทร์ประโคน 1
22 ทวี ดีจะมาลา 1
23 ธำรง เมธาศิริ 1
24 จงอร พีรานนท์ 1
25 วิชิต ศรีตระกูล 1
26 ไม่มีข้อมูล 1
27 จามรี อมรโกศลพันธ์ 1
28 ไปรมา ดิษฐสมบูรณ์ 1
29 วิโรจน์ ตันตราภรณ์ 1
30 ราม ติวารี 1
31 ปณิตา ชินเวชกิจวานิชย์ 1
32 ชาญวิทย์ จิตยุทธการ 1
33 Cahen Weizmann 1
34 คมกฤษณ์ ปุ่นอุดม 1
35 เกษรารัตน์ อักษรรัตน์ 1
36 เกรียงไกร วันทอง 1
ปี
# พ.ศ. จำนวน
1 2551 1
2 2547 1
3 2545 1
4 2544 2
5 2543 3
6 2540 1
7 2539 1
8 2538 2
9 2532 1
10 2531 5
11 2530 3
12 543 4
ผลงานวิจัย
# หัวเรื่อง
ปี พ.ศ. 2551
1 ผลของการเติมไนโตรเจนต่อสมบัติเชิงแสง และสมบัติเชิงโครงสร้างของอัลลอยกึ่งตัวนำแกลเลียมอาร์เซไนด์ [ไนไตรด์] ที่ปลูกผลึกโดยวิธีเมทอล-ออแกนิกเวปเปอร์เฟสเอพิแทกซี
ปี พ.ศ. 2547
2 การเตรียมฟิล์มบางซิงค์ซัลไฟด์โดยวิธีการเคลือบอาบสารเคมี
ปี พ.ศ. 2545
3 ฟิล์มบางโปร่งใสนำไฟฟ้า ZnO(AI) เตรียมโดยอาร์เอฟและดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริงแบบตามลำดับ
ปี พ.ศ. 2544
4 ผลของโปรไฟล์อุณหภูมิต่อองค์ประกอบและโครงสร้างผลึกของฟิล์มบาง Cu(In, Ga)Se2
5 โครงสร้างผลึกและค่าช่องว่างแถบพลังงานของสารประกอบกึ่งตัวนำ Cu2In4Se7
ปี พ.ศ. 2543
6 กระบวนการการนำไฟฟ้าของฟิล์มบางแคดเมียมซัลไฟด์ที่เตรียมโดยวิธีการอาบเคลือบสารเคมี
7 การปลูกผลึกและการศึกษาลักษณะเฉพาะของผลึกเดี่ยว CuIn[subscript 3]Se[subscript 5]
8 การปลูกผลึกและการศึกษาลักษณะเฉพาะของสารกึ่งตัวนำคอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์
ปี พ.ศ. 2540
9 การเตรียมฟิล์มซิงค์ออกไซด์แบบโปร่งใสและนำไฟฟ้า
ปี พ.ศ. 2539
10 ระบบวัดสมบัติเชิงแสงของสารกึ่งตัวนำควบคุมโดยคอมพิวเตอร์
ปี พ.ศ. 2538
11 ลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของรอยต่อวิวิธพันธุ์ของเซลล์แสงอาทิตย์ CulnSe2/CdS ชนิดฟิล์มบาง
12 การเตรียมฟิล์มบางโดยวิธีดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริง
ปี พ.ศ. 2532
13 การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์
ปี พ.ศ. 2531
14 การเปลี่ยนแปลงตามอุณหภูมิของการดูดกลืนแสงพื้นฐาน ของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์ และส่วนหางของเออบาค
15 การศึกษาโครงสร้างแถบพลังงานของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์ โดยสภาพนำไฟฟ้าเชิงแสง
16 การศึกษารอยต่อแบบโลหะ-ฉนวน-สารกึ่งตัวนำของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์
17 การศึกษารอยต่อแบบพี-เอ็น โฮโมจังค์ชันของคอปเปอร์อินเดียมไดชีลีไนด์
18 ระบบซี-วี ควบคุมโดยคอมพิวเตอร์สำหรับศึกษาสมบัติของรอยต่อกึ่งตัวนำ
ปี พ.ศ. 2530
19 การศึกษาและการพัฒนาสารประกอบกึ่งตัวนำ ซาลโดไพไรท์ของทองแดง และเงิน สำหรับเซลแสงอาทิตย์
20 การเตรียมและการศึกษาสมบัติของสารกึ่งตัวนำ คอปเปอร์อินเดียนไดซีลีไนด์ (CuInSe2)
21 การศึกษาโครงสร้างผลึกของสารประกอบซาลโคไพโรท์กลุ่ม I-III-VI2 โดยใช้ทฤษฎีพันธะและแถบพลังงาน